文献
J-GLOBAL ID:202202226878884358
整理番号:22A0958715
超高線量に照射された16nmバルクFinFETのTID劣化に及ぼすフィンと指数の影響【JST・京大機械翻訳】
Influence of Fin and Finger Number on TID Degradation of 16-nm Bulk FinFETs Irradiated to Ultrahigh Doses
著者 (7件):
Ma Teng
(INFN Padova-Istituto Nazionale di Fisica Nucleare, Padua, Italy)
,
Bonaldo Stefano
(INFN Padova-Istituto Nazionale di Fisica Nucleare, Padua, Italy)
,
Mattiazzo Serena
(INFN Padova-Istituto Nazionale di Fisica Nucleare, Padua, Italy)
,
Baschirotto Andrea
(INFN Milano-Istituto Nazionale di Fisica Nucleare, Milan, Italy)
,
Enz Christian
(Institute of Microengineering, EPFL-Ecole Polytechnique Fe ́de ́rale de Lausanne, Lausanne, Switzerland)
,
Paccagnella Alessandro
(INFN Padova-Istituto Nazionale di Fisica Nucleare, Padua, Italy)
,
Gerardin Simone
(INFN Padova-Istituto Nazionale di Fisica Nucleare, Padua, Italy)
資料名:
IEEE Transactions on Nuclear Science
(IEEE Transactions on Nuclear Science)
巻:
69
号:
3
ページ:
307-313
発行年:
2022年
JST資料番号:
C0235A
ISSN:
0018-9499
CODEN:
IETNAE
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)