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文献
J-GLOBAL ID：202202227316510134
整理番号：22A1100900
100mW/cm=2から2000°Cまでの安定なパワー指数を示すリセスゲートGa_2O_3-on-SiC MOSFET【JST・京大機械翻訳】
Recessed-Gate Ga2O3-on-SiC MOSFETs Demonstrating a Stable Power Figure of Merit of 100 mW/cm2 Up to 200 °C
Wang Yibo
(School of Microelectronics, Xidian University, Xi’an, China)
,
Han Genquan
(School of Microelectronics, Xidian University, Xi’an, China)
,
Xu Wenhui
(State Key Laboratory of Functional Materials for Informatics, Shanghai Institute of Microsystem and Information Technology, Chinese Academy of Sciences, Shanghai, China)
,
You Tiangui
(State Key Laboratory of Functional Materials for Informatics, Shanghai Institute of Microsystem and Information Technology, Chinese Academy of Sciences, Shanghai, China)
,
Hu Haodong
(School of Microelectronics, Xidian University, Xi’an, China)
,
Liu Yan
(School of Microelectronics, Xidian University, Xi’an, China)
,
Zhang Xinchuang
(School of Microelectronics, Xidian University, Xi’an, China)
,
Huang Hao
(State Key Laboratory of Functional Materials for Informatics, Shanghai Institute of Microsystem and Information Technology, Chinese Academy of Sciences, Shanghai, China)
,
Ou Xin
(State Key Laboratory of Functional Materials for Informatics, Shanghai Institute of Microsystem and Information Technology, Chinese Academy of Sciences, Shanghai, China)
,
Ma Xiaohua
(School of Microelectronics, Xidian University, Xi’an, China)
,
Hao Yue
(School of Microelectronics, Xidian University, Xi’an, China)
資料名：
IEEE Transactions on Electron Devices
(IEEE Transactions on Electron Devices)
巻： 69 号： 4 ページ： 1945-1949 発行年： 2022年
JST資料番号： C0222A ISSN： 0018-9383 CODEN： IETDAI 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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