文献
J-GLOBAL ID:202202227734987179
整理番号:22A0430780
PEDOT:PSS/GOを用いた作製不揮発性バイポーラ抵抗スイッチングメモリ(ReRAM)のスイッチング特性【JST・京大機械翻訳】
Switching characteristic of fabricated nonvolatile bipolar resistive switching memory (ReRAM) using PEDOT: PSS/GO
著者 (3件):
Moazzeni Alireza
(Department of Electrical and Electronics Engineering, Shiraz University of Technology, Shiraz, Iran)
,
hamedi Samaneh
(Department of Electrical and Electronics Engineering, Shiraz University of Technology, Shiraz, Iran)
,
Kordrostami Zoheir
(Department of Electrical and Electronics Engineering, Shiraz University of Technology, Shiraz, Iran)
資料名:
Solid-State Electronics
(Solid-State Electronics)
巻:
188
ページ:
Null
発行年:
2022年
JST資料番号:
H0225A
ISSN:
0038-1101
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
イギリス (GBR)
言語:
英語 (EN)