文献
J-GLOBAL ID:202202227955919217
整理番号:22A0976804
炭素共注入シリコンにおけるアップヒルリン拡散【JST・京大機械翻訳】
Uphill phosphorus diffusion in carbon co-implanted silicon
著者 (5件):
Dumas P.
(STMicroelectronics, 850 Rue Jean Monnet, 38926 Crolles Cedex, France)
,
Duguay S.
(Universite de Rouen, GPM, UMR CNRS 6634 BP 12, Avenue de l’Universite, 76801 Saint-Etienne-du-Rouvray, France)
,
Hilario F.
(STMicroelectronics, 850 Rue Jean Monnet, 38926 Crolles Cedex, France)
,
Gauthier A.
(STMicroelectronics, 850 Rue Jean Monnet, 38926 Crolles Cedex, France)
,
Blavette D.
(Universite de Rouen, GPM, UMR CNRS 6634 BP 12, Avenue de l’Universite, 76801 Saint-Etienne-du-Rouvray, France)
資料名:
Journal of Applied Physics
(Journal of Applied Physics)
巻:
131
号:
11
ページ:
115102-115102-9
発行年:
2022年
JST資料番号:
C0266A
ISSN:
0021-8979
CODEN:
JAPIAU
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)