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文献
J-GLOBAL ID：202202228611510066
整理番号：22A1082391
NiFe_2O_4抵抗メモリデバイスにおける単極およびバイポーラ抵抗スイッチングの共存の理解【JST・京大機械翻訳】
Understanding the coexistence of unipolar and bipolar resistive switching in NiFe2O4 resistive memory devices
Li Jiacheng
(State Key Laboratory of Optoelectronic Materials and Technologies, School of Materials Science and Engineering, Sun Yat-Sen University, Guangzhou 510275, China)
,
Yao Chuangye
(State Key Laboratory of Optoelectronic Materials and Technologies, School of Materials Science and Engineering, Sun Yat-Sen University, Guangzhou 510275, China)
,
Ke Yifu
(State Key Laboratory of Optoelectronic Materials and Technologies, School of Materials Science and Engineering, Sun Yat-Sen University, Guangzhou 510275, China)
,
Huang Wenhua
(State Key Laboratory of Optoelectronic Materials and Technologies, School of Materials Science and Engineering, Sun Yat-Sen University, Guangzhou 510275, China)
,
Thatikonda Santhosh Kumar
(State Key Laboratory of Optoelectronic Materials and Technologies, School of Materials Science and Engineering, Sun Yat-Sen University, Guangzhou 510275, China)
,
Qin Ni
(State Key Laboratory of Optoelectronic Materials and Technologies, School of Materials Science and Engineering, Sun Yat-Sen University, Guangzhou 510275, China)
,
Bao Dinghua
(State Key Laboratory of Optoelectronic Materials and Technologies, School of Materials Science and Engineering, Sun Yat-Sen University, Guangzhou 510275, China)
資料名：
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻： 120 号： 13 ページ： 133501-133501-6 発行年： 2022年
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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