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文献
J-GLOBAL ID：202202228897719481
整理番号：22A0427822
DCプラズマスパッタリング法によって作製したNb_2O_5膜の電気的性質に及ぼすAlドープの影響【JST・京大機械翻訳】
Effect of Al-Doped on the Electrical Properties of Nb2O5 Film Prepared by DC. Plasma Sputtering Technique
Jassim Oras A.
(Ministry of Science and Technology, Center of Applied Physics Baghdad Iraq)
,
Mutter Mahdi M.
(Ministry of Science and Technology, Center of Applied Physics Baghdad Iraq)
,
Khalil Souad
(2College of Science for Women, University of Baghdad, Iraq, Iraq)
資料名：
Materials Science Forum
(Materials Science Forum)
巻： 1050 ページ： 21-33 発行年： 2022年
JST資料番号： D0716B ISSN： 0255-5476 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： スイス (CHE) 言語： 英語 (EN)
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