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文献
J-GLOBAL ID：202202229007439126
整理番号：22A1153641
モノおよび二層h-BNトンネル接触によるWS_2電界効果トランジスタの性能向上【JST・京大機械翻訳】
Enhanced Performance of WS2 Field-Effect Transistor through Mono and Bilayer h-BN Tunneling Contacts
Phan Nhat Anh Nguyen
(Department of Electrical and Computer Engineering, Sungkyunkwan University (SKKU), Suwon, 16419, Republic of Korea)
,
Noh Hamin
(Department of Electrical and Computer Engineering, Sungkyunkwan University (SKKU), Suwon, 16419, Republic of Korea)
,
Kim Jihoon
(Department of Electrical and Computer Engineering, Sungkyunkwan University (SKKU), Suwon, 16419, Republic of Korea)
,
Kim Yewon
(Department of Electrical and Computer Engineering, Sungkyunkwan University (SKKU), Suwon, 16419, Republic of Korea)
,
Kim Hanul
(Samsung-SKKU Graphene Centre, Sungkyunkwan Advanced Institute of Nanotechnology (SAINT), Sungkyunkwan University (SKKU), Suwon, 16419, Republic of Korea)
,
Whang Dongmok
(Samsung-SKKU Graphene Centre, Sungkyunkwan Advanced Institute of Nanotechnology (SAINT), Sungkyunkwan University (SKKU), Suwon, 16419, Republic of Korea)
,
Whang Dongmok
(School of Advanced Materials Science and Engineering, Sungkyunkwan University (SKKU), Suwon, 16419, Republic of Korea)
,
Aoki Nobuyuki
(Department of Materials Science, Chiba University, Chiba, 263-8522, Japan)
,
Watanabe Kenji
(Research Center for Functional Materials, National Institute for Materials Science, 1-1 Namiki, Tsukuba, 305-0044, Japan)
,
Taniguchi Takashi
(International Center for Material Nano-Architectonics, National Institute for Materials Science, 1-1 Namiki, Tsukuba, 305-0044, Japan)
,
Kim Gil-Ho
(Department of Electrical and Computer Engineering, Sungkyunkwan University (SKKU), Suwon, 16419, Republic of Korea)
,
Kim Gil-Ho
(Samsung-SKKU Graphene Centre, Sungkyunkwan Advanced Institute of Nanotechnology (SAINT), Sungkyunkwan University (SKKU), Suwon, 16419, Republic of Korea)
資料名：
Small
(Small)
巻： 18 号： 13 ページ： e2105753 発行年： 2022年
JST資料番号： W2348A ISSN： 1613-6810 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： ドイツ (DEU) 言語： 英語 (EN)
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