文献
J-GLOBAL ID:202202229878231649
整理番号:22A0856773
BCZTセラミックの電気的性質と誘電緩和挙動に及ぼすLiとYの共ドーピングの影響【JST・京大機械翻訳】
Effects of Li and Y co-doping on electrical properties and dielectric relaxation behavior of BCZT ceramics
著者 (4件):
Wang Chang-Qun
(College of Materials and Metallurgy, Guizhou University, Guiyang, Guizhou, China)
,
Shu Chun
(College of Materials and Metallurgy, Guizhou University, Guiyang, Guizhou, China)
,
Zheng De-Yi
(College of Materials and Metallurgy, Guizhou University, Guiyang, Guizhou, China)
,
Luo Shun
(College of Materials and Metallurgy, Guizhou University, Guiyang, Guizhou, China)
資料名:
Journal of Materials Science. Materials in Electronics
(Journal of Materials Science. Materials in Electronics)
巻:
33
号:
7
ページ:
3822-3834
発行年:
2022年
JST資料番号:
W0003A
ISSN:
0957-4522
CODEN:
JMTSAS
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
ドイツ (DEU)
言語:
英語 (EN)