文献
J-GLOBAL ID:202202230020487654
整理番号:22A0396684
P-ドリフト層を有する垂直ダイヤモンドトレンチMOSFETにおける580V破壊電圧【JST・京大機械翻訳】
580 V Breakdown Voltage in Vertical Diamond Trench MOSFETs With a P- -Drift Layer
著者 (6件):
Tsunoda Jun
(Faculty of Science and Engineering, Waseda University, Shinjuku-ku, Tokyo, Japan)
,
Niikura Naoya
(Faculty of Science and Engineering, Waseda University, Shinjuku-ku, Tokyo, Japan)
,
Ota Kosuke
(Faculty of Science and Engineering, Waseda University, Shinjuku-ku, Tokyo, Japan)
,
Morishita Aoi
(Faculty of Science and Engineering, Waseda University, Shinjuku-ku, Tokyo, Japan)
,
Hiraiwa Atsushi
(Faculty of Science and Engineering, Waseda University, Shinjuku-ku, Tokyo, Japan)
,
Kawarada Hiroshi
(Faculty of Science and Engineering, Waseda University, Shinjuku-ku, Tokyo, Japan)
資料名:
IEEE Electron Device Letters
(IEEE Electron Device Letters)
巻:
43
号:
1
ページ:
88-91
発行年:
2022年
JST資料番号:
B0344B
ISSN:
0741-3106
CODEN:
EDLEDZ
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)