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J-GLOBAL ID：202202230026461312 整理番号：22A0322399

ALD Al_2O_3/(α-,ε-)Ga_2O_3界面のバンドアラインメントに及ぼす酸素源の影響【JST・京大機械翻訳】

Impacts of oxygen source on band alignment of ALD Al₂O₃/(α-, ε-)Ga₂O₃ interface

著者 (16件)：

Zuo Yan

(State Key Discipline Laboratory of Wide Bandgap Semiconductor Technology, School of Microelectronics, Xidian University, Xi’an 710071, China)

,

Feng Qian

(State Key Discipline Laboratory of Wide Bandgap Semiconductor Technology, School of Microelectronics, Xidian University, Xi’an 710071, China)

,

Feng Qian

(Shaanxi Joint Key Laboratory of Graphene, School of Microelectronics, Xidian University, Xi’an 710071, China)

,

Zhang Tao

(State Key Discipline Laboratory of Wide Bandgap Semiconductor Technology, School of Microelectronics, Xidian University, Xi’an 710071, China)

,

Luo HaiFeng

(State Key Discipline Laboratory of Wide Bandgap Semiconductor Technology, School of Microelectronics, Xidian University, Xi’an 710071, China)

,

Tian Xusheng

(State Key Discipline Laboratory of Wide Bandgap Semiconductor Technology, School of Microelectronics, Xidian University, Xi’an 710071, China)

,

Cai Yuncong

(State Key Discipline Laboratory of Wide Bandgap Semiconductor Technology, School of Microelectronics, Xidian University, Xi’an 710071, China)

,

Gao Yangyang

(State Key Discipline Laboratory of Wide Bandgap Semiconductor Technology, School of Microelectronics, Xidian University, Xi’an 710071, China)

,

Zhang Jincheng

(State Key Discipline Laboratory of Wide Bandgap Semiconductor Technology, School of Microelectronics, Xidian University, Xi’an 710071, China)

,

Zhang Jincheng

(Shaanxi Joint Key Laboratory of Graphene, School of Microelectronics, Xidian University, Xi’an 710071, China)

,

Zhang Chunfu

(State Key Discipline Laboratory of Wide Bandgap Semiconductor Technology, School of Microelectronics, Xidian University, Xi’an 710071, China)

,

Zhang Chunfu

(Shaanxi Joint Key Laboratory of Graphene, School of Microelectronics, Xidian University, Xi’an 710071, China)

,

Zhou Hong

(State Key Discipline Laboratory of Wide Bandgap Semiconductor Technology, School of Microelectronics, Xidian University, Xi’an 710071, China)

,

Zhou Hong

(Shaanxi Joint Key Laboratory of Graphene, School of Microelectronics, Xidian University, Xi’an 710071, China)

,

Hao Yue

(State Key Discipline Laboratory of Wide Bandgap Semiconductor Technology, School of Microelectronics, Xidian University, Xi’an 710071, China)

,

Hao Yue

(Shaanxi Joint Key Laboratory of Graphene, School of Microelectronics, Xidian University, Xi’an 710071, China)

資料名：

Journal of Crystal Growth (Journal of Crystal Growth)

巻： 580 ページ： Null 発行年： 2022年
JST資料番号： B0942A ISSN： 0022-0248 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：オランダ (NLD) 言語：英語 (EN)

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