文献
J-GLOBAL ID:202202230433622805
整理番号:22A1101841
DoEによる過酷環境MEMSのためのSiCインターポーザとディープSiCエッチングのための炭化ケイ素ビア(TSiCV)によるエッチングの研究とモデリング【JST・京大機械翻訳】
Investigation and Modeling of Etching Through Silicon Carbide Vias (TSiCV) for SiC Interposer and Deep SiC Etching for Harsh Environment MEMS by DoE
著者 (8件):
Mackowiak Piotr
(Wafer Level System Integration, Fraunhofer-Institut fur Zuverlaessigkeit und Mikrointegration (IZM), Berlin, Germany)
,
Erbacher Kolja
(Wafer Level System Integration, Fraunhofer-Institut fur Zuverlaessigkeit und Mikrointegration (IZM), Berlin, Germany)
,
Schiffer Michael
(Wafer Level System Integration, Fraunhofer-Institut fur Zuverlaessigkeit und Mikrointegration (IZM), Berlin, Germany)
,
Manier Charles-Alix
(Wafer Level System Integration, Fraunhofer-Institut fur Zuverlaessigkeit und Mikrointegration (IZM), Berlin, Germany)
,
Topper Michael
(Wafer Level System Integration, Fraunhofer-Institut fur Zuverlaessigkeit und Mikrointegration (IZM), Berlin, Germany)
,
Ngo Ha-Duong
(Department of Microsystems Engineering, University of Applied Science Berlin, Berlin, Germany)
,
Schneider-Ramelow Martin
(Technologien der Mikroperipherik, Technische Universitaet Berlin, Berlin, Germany)
,
Lang Klaus-Dieter
(Technologien der Mikroperipherik, Technische Universitaet Berlin, Berlin, Germany)
資料名:
IEEE Transactions on Components, Packaging, and Manufacturing Technology
(IEEE Transactions on Components, Packaging, and Manufacturing Technology)
巻:
12
号:
3
ページ:
437-445
発行年:
2022年
JST資料番号:
W0590B
ISSN:
2156-3950
CODEN:
ITCPC8
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)