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文献
J-GLOBAL ID：202202230433622805
整理番号：22A1101841
DoEによる過酷環境MEMSのためのSiCインターポーザとディープSiCエッチングのための炭化ケイ素ビア(TSiCV)によるエッチングの研究とモデリング【JST・京大機械翻訳】
Investigation and Modeling of Etching Through Silicon Carbide Vias (TSiCV) for SiC Interposer and Deep SiC Etching for Harsh Environment MEMS by DoE
Mackowiak Piotr
(Wafer Level System Integration, Fraunhofer-Institut fur Zuverlaessigkeit und Mikrointegration (IZM), Berlin, Germany)
,
Erbacher Kolja
(Wafer Level System Integration, Fraunhofer-Institut fur Zuverlaessigkeit und Mikrointegration (IZM), Berlin, Germany)
,
Schiffer Michael
(Wafer Level System Integration, Fraunhofer-Institut fur Zuverlaessigkeit und Mikrointegration (IZM), Berlin, Germany)
,
Manier Charles-Alix
(Wafer Level System Integration, Fraunhofer-Institut fur Zuverlaessigkeit und Mikrointegration (IZM), Berlin, Germany)
,
Topper Michael
(Wafer Level System Integration, Fraunhofer-Institut fur Zuverlaessigkeit und Mikrointegration (IZM), Berlin, Germany)
,
Ngo Ha-Duong
(Department of Microsystems Engineering, University of Applied Science Berlin, Berlin, Germany)
,
Schneider-Ramelow Martin
(Technologien der Mikroperipherik, Technische Universitaet Berlin, Berlin, Germany)
,
Lang Klaus-Dieter
(Technologien der Mikroperipherik, Technische Universitaet Berlin, Berlin, Germany)
資料名：
IEEE Transactions on Components, Packaging, and Manufacturing Technology
(IEEE Transactions on Components, Packaging, and Manufacturing Technology)
巻： 12 号： 3 ページ： 437-445 発行年： 2022年
JST資料番号： W0590B ISSN： 2156-3950 CODEN： ITCPC8 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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