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文献
J-GLOBAL ID：202202230509121408
整理番号：22A0909145
深紫外線Al_0.6Ga_0.4N p-i-nアバランシェフォトダイオードの絶縁破壊特性【JST・京大機械翻訳】
Breakdown characteristics of deep-ultraviolet Al0.6Ga0.4N p-i-n avalanche photodiodes
Jeong Hoon
(Center for Compound Semiconductors, School of Electrical and Computer Engineering, Georgia Institute of Technology, 777 Atlantic Drive NW, Atlanta, Georgia 30332-0250, USA)
,
Cho Minkyu
(Center for Compound Semiconductors, School of Electrical and Computer Engineering, Georgia Institute of Technology, 777 Atlantic Drive NW, Atlanta, Georgia 30332-0250, USA)
,
Xu Zhiyu
(Center for Compound Semiconductors, School of Electrical and Computer Engineering, Georgia Institute of Technology, 777 Atlantic Drive NW, Atlanta, Georgia 30332-0250, USA)
,
Mehnke Frank
(Center for Compound Semiconductors, School of Electrical and Computer Engineering, Georgia Institute of Technology, 777 Atlantic Drive NW, Atlanta, Georgia 30332-0250, USA)
,
Bakhtiary-Noodeh Marzieh
(Center for Compound Semiconductors, School of Electrical and Computer Engineering, Georgia Institute of Technology, 777 Atlantic Drive NW, Atlanta, Georgia 30332-0250, USA)
,
Detchprohm Theeradetch
(Center for Compound Semiconductors, School of Electrical and Computer Engineering, Georgia Institute of Technology, 777 Atlantic Drive NW, Atlanta, Georgia 30332-0250, USA)
,
Shen Shyh-Chiang
(Center for Compound Semiconductors, School of Electrical and Computer Engineering, Georgia Institute of Technology, 777 Atlantic Drive NW, Atlanta, Georgia 30332-0250, USA)
,
Otte Nepomuk
(School of Physics, Georgia Institute of Technology, Atlanta, Georgia 30332-0430, USA)
,
Dupuis Russell D.
(Center for Compound Semiconductors, School of Electrical and Computer Engineering, Georgia Institute of Technology, 777 Atlantic Drive NW, Atlanta, Georgia 30332-0250, USA)
資料名：
Journal of Applied Physics
(Journal of Applied Physics)
巻： 131 号： 10 ページ： 103102-103102-7 発行年： 2022年
JST資料番号： C0266A ISSN： 0021-8979 CODEN： JAPIAU 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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