文献
J-GLOBAL ID:202202230632271577
整理番号:22A0780683
低温ポリSiおよび酸化物(LTPO)TFTハイブリッド技術に基づく低電力およびIRドロップ補償可能AMOLEDピクセル回路【JST・京大機械翻訳】
A Low Power and IR Drop Compensable AMOLED Pixel Circuit Based on Low-Temperature Poly-Si and Oxide (LTPO) TFTs Hybrid Technology
著者 (7件):
Qiu Hezi
(Institute of Microelectronics, Peking University, Beijing, China)
,
An Junjun
(Electronic and Computer Engineering, Peking University, Shenzhen, China)
,
Wang Kun
(Electronic and Computer Engineering, Peking University, Shenzhen, China)
,
Liao Congwei
(Electronic and Computer Engineering, Peking University, Shenzhen, China)
,
Dai Chao
(Research and Development Center, TCL China Star Optoelectronics Technology Company Ltd., Wuhan, China)
,
Zhang Xin
(Research and Development Center, TCL China Star Optoelectronics Technology Company Ltd., Wuhan, China)
,
Zhang Shengdong
(Institute of Microelectronics, Peking University, Beijing, China)
資料名:
IEEE Journal of the Electron Devices Society
(IEEE Journal of the Electron Devices Society)
巻:
10
ページ:
51-58
発行年:
2022年
JST資料番号:
W2429A
ISSN:
2168-6734
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)