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文献
J-GLOBAL ID：202202230936003086
整理番号：22A0801180
炭素ドーピングとプログラムパルスを用いた信頼性のあるGe_2Sb_2Te_5系相変化電子シナプス【JST・京大機械翻訳】
Reliable Ge2Sb2Te5 based phase-change electronic synapses using carbon doping and programmed pulses
Wang Qiang
(Electronic Materials Research Laboratory, Key Laboratory of the Ministry of Education & International Center for Dielectric Research, School of Electronic Science and Engineering, Xi’an Jiaotong University, Xi’an, 710049, China)
,
Niu Gang
(Electronic Materials Research Laboratory, Key Laboratory of the Ministry of Education & International Center for Dielectric Research, School of Electronic Science and Engineering, Xi’an Jiaotong University, Xi’an, 710049, China)
,
Wang Ruobing
(State Key Laboratory of Functional Materials for Informatics, Shanghai Institute of Microsystem and Information Technology, Chinese Academy of Sciences, 865 Changning Road, Shanghai, 200050, China)
,
Luo Ren
(Electronic Materials Research Laboratory, Key Laboratory of the Ministry of Education & International Center for Dielectric Research, School of Electronic Science and Engineering, Xi’an Jiaotong University, Xi’an, 710049, China)
,
Ye Zuo-Guang
(Department of Chemistry and 4D LABS, Simon Fraser University, Burnaby, British Columbia, V5A 1S6, Canada)
,
Bi Jinshun
(Key Laboratory of Microelectronics Device and Integrated Technology, The Institute of Microelectronics of Chinese Academy of Sciences, Beijing, 100029, China)
,
Bi Jinshun
(University of Chinese Academy of Sciences, Beijing, 100049, China)
,
Li Xi
(State Key Laboratory of Functional Materials for Informatics, Shanghai Institute of Microsystem and Information Technology, Chinese Academy of Sciences, 865 Changning Road, Shanghai, 200050, China)
,
Song Zhitang
(State Key Laboratory of Functional Materials for Informatics, Shanghai Institute of Microsystem and Information Technology, Chinese Academy of Sciences, 865 Changning Road, Shanghai, 200050, China)
,
Ren Wei
(Electronic Materials Research Laboratory, Key Laboratory of the Ministry of Education & International Center for Dielectric Research, School of Electronic Science and Engineering, Xi’an Jiaotong University, Xi’an, 710049, China)
,
Song Sannian
(State Key Laboratory of Functional Materials for Informatics, Shanghai Institute of Microsystem and Information Technology, Chinese Academy of Sciences, 865 Changning Road, Shanghai, 200050, China)
資料名：
Journal of Materiomics
(Journal of Materiomics)
巻： 8 号： 2 ページ： 382-391 発行年： 2022年
JST資料番号： W3540A ISSN： 2352-8478 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： オランダ (NLD) 言語： 英語 (EN)
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