文献
J-GLOBAL ID:202202232518329710
整理番号:22A0771559
歪InGaAs量子井戸の成長パラメータが発光特性に及ぼす影響【JST・京大機械翻訳】
The Influence of Growth Parameters of Strain InGaAs Quantum Wells on Luminescent Properties
著者 (2件):
Gu Lei
(College of Electrical Engineering, Jilin Engineering Normal University, Changchun, Jilin, China)
,
Meng Juan
(Xidian University, Xi’an, China)
資料名:
Journal of Electronic Materials
(Journal of Electronic Materials)
巻:
51
号:
3
ページ:
1421-1427
発行年:
2022年
JST資料番号:
D0277B
ISSN:
0361-5235
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
ドイツ (DEU)
言語:
英語 (EN)