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文献
J-GLOBAL ID：202202233359217418
整理番号：22A0887907
AlGaN/GaN HEMT材料とデバイスのための薄いGaNの適合性【JST・京大機械翻訳】
Suitability of thin-GaN for AlGaN/GaN HEMT material and device
Narang Kapil
(Solid State Physics Laboratory, Timarpur, Delhi, India)
,
Narang Kapil
(Department of Physics, Indian Institute of Technology Delhi, Hauz Khas, New Delhi, India)
,
Singh Vikash K.
(Solid State Physics Laboratory, Timarpur, Delhi, India)
,
Pandey Akhilesh
(Solid State Physics Laboratory, Timarpur, Delhi, India)
,
Khan Ruby
(Solid State Physics Laboratory, Timarpur, Delhi, India)
,
Bag Rajesh K.
(Solid State Physics Laboratory, Timarpur, Delhi, India)
,
Rawal D. S.
(Solid State Physics Laboratory, Timarpur, Delhi, India)
,
Padmavati M. V. G.
(Solid State Physics Laboratory, Timarpur, Delhi, India)
,
Tyagi Renu
(Solid State Physics Laboratory, Timarpur, Delhi, India)
,
Singh Rajendra
(Department of Physics, Indian Institute of Technology Delhi, Hauz Khas, New Delhi, India)
資料名：
Journal of Materials Science
(Journal of Materials Science)
巻： 57 号： 10 ページ： 5913-5923 発行年： 2022年
JST資料番号： B0722A ISSN： 0022-2461 CODEN： JMTSAS 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： ドイツ (DEU) 言語： 英語 (EN)
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