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文献
J-GLOBAL ID：202202233824893093
整理番号：22A0974997
横方向ペンタセン/a-IGZOPN接合に基づく電力効率の良いガスセンシングとシナプスダイオード【JST・京大機械翻訳】
Power-Efficient Gas-Sensing and Synaptic Diodes Based on Lateral Pentacene/a-IGZO PN Junctions
Chu Yingli
(College of Chemistry and Environmental Engineering, Shenzhen University, China)
,
Chu Yingli
(College of Physics and Optoelectronic Engineering, Shenzhen University, China)
,
Tan Haotian
(State Key Laboratory of ASIC and System, School of Microelectronics, Fudan University, China)
,
Zhao Chenyang
(College of Chemistry and Environmental Engineering, Shenzhen University, China)
,
Wu Xiaohan
(State Key Laboratory of ASIC and System, School of Microelectronics, Fudan University, China)
,
Ding Shi-Jin
(State Key Laboratory of ASIC and System, School of Microelectronics, Fudan University, China)
,
Ding Shi-Jin
(National Integrated Circuit Innovation Center, China)
資料名：
ACS Applied Materials & Interfaces
(ACS Applied Materials & Interfaces)
巻： 14 号： 7 ページ： 9368-9376 発行年： 2022年
JST資料番号： W2329A ISSN： 1944-8244 CODEN： AAMICK 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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