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文献
J-GLOBAL ID:202202233871470988   整理番号:22A1155264

半導体に対する2つのキャリア型の流体力学モデルへのゼロ緩和時間限界【JST・京大機械翻訳】

Zero relaxation time limits to a hydrodynamic model of two carrier types for semiconductors
著者 (3件):
Hu Yan-bo
(K.K.Chen Inst. for Advanced Studies, Hangzhou Normal University, Hangzhou, China)
Klingenberg C.
(Deptartment of Mathematics, Wuerzburg University, Wuerzburg, Germany)
Lu Yun-guang
(K.K.Chen Inst. for Advanced Studies, Hangzhou Normal University, Hangzhou, China)

資料名:
Mathematische Annalen  (Mathematische Annalen)

巻: 382  号: 3-4  ページ: 1031-1046  発行年: 2022年 
JST資料番号: W4718A  ISSN: 0025-5831  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: ドイツ (DEU)  言語: 英語 (EN)
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