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文献
J-GLOBAL ID：202202234034631191
整理番号：22A0223388
Electronビームシステムを用いた加速エージングにより評価したベータ電圧に対する4H-SiCと比較したSiの放射線硬度【JST・京大機械翻訳】
Radiation Hardness of Si Compared to 4H-SiC for Betavoltaics Assessed by Accelerated Aging Using an Electron Beam System
Shao Qinghui
(Lawrence Livermore National Laboratory, Livermore, CA, USA)
,
Jarrell Joshua T.
(Lawrence Livermore National Laboratory, Livermore, CA, USA)
,
Murphy John M.
(Lawrence Livermore National Laboratory, Livermore, CA, USA)
,
Frye Clint D.
(Lawrence Livermore National Laboratory, Livermore, CA, USA)
,
Henderson Roger A.
(Lawrence Livermore National Laboratory, Livermore, CA, USA)
,
Stoyer Mark A.
(Lawrence Livermore National Laboratory, Livermore, CA, USA)
,
Voss Lars F.
(Lawrence Livermore National Laboratory, Livermore, CA, USA)
,
Nikolic Rebecca J.
(Lawrence Livermore National Laboratory, Livermore, CA, USA)
資料名：
Journal of Electronic Materials
(Journal of Electronic Materials)
巻： 51 号： 1 ページ： 350-355 発行年： 2022年
JST資料番号： D0277B ISSN： 0361-5235 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： ドイツ (DEU) 言語： 英語 (EN)
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