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文献
J-GLOBAL ID：202202234470568819
整理番号：22A0741618
ゲートフローティング下のEモードGaNベーストランジスタのI-V特性【JST・京大機械翻訳】
I-V Characteristics of E-mode GaN-based transistors under gate floating
Qin Zhen-Wei
(Department of Electrical Engineering, National Central University, Taoyuan City 32001, Taiwan)
,
Tsai Wen-Hsuan
(Department of Electrical Engineering, National Central University, Taoyuan City 32001, Taiwan)
,
Chen Wei-Chia
(Department of Electrical Engineering, National Central University, Taoyuan City 32001, Taiwan)
,
Lo Hao-Hsuan
(Department of Electrical Engineering, National Central University, Taoyuan City 32001, Taiwan)
,
Hsin Yue-Ming
(Department of Electrical Engineering, National Central University, Taoyuan City 32001, Taiwan)
資料名：
Semiconductor Science and Technology
(Semiconductor Science and Technology)
巻： 37 号： 4 ページ： 045002 (7pp) 発行年： 2022年
JST資料番号： E0503B ISSN： 0268-1242 CODEN： SSTEET 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： イギリス (GBR) 言語： 英語 (EN)
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