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文献
J-GLOBAL ID：202202235026926271
整理番号：22A1100908
電気粒子の濃度間の相互相関に基づく方法を用いたHgCdTe構造における少数キャリア寿命の計算【JST・京大機械翻訳】
Calculation of Minority Carriers’ Lifetime in HgCdTe Structures by Using the Method Based on Mutual Correlation Between the Concentration of Electrical Particles
Jozwikowski K.
(Institute of Materials Science and Engineering, Military University of Technology, Warsaw, Poland)
,
Jozwikowska A.
(Faculty of Applied Informatics and Mathematics, Warsaw University of Life Science, Warsaw, Poland)
,
Markowska O.
(Dell Sp. z o.o. ul, Warsaw, Poland)
資料名：
IEEE Transactions on Electron Devices
(IEEE Transactions on Electron Devices)
巻： 69 号： 4 ページ： 1995-2001 発行年： 2022年
JST資料番号： C0222A ISSN： 0018-9383 CODEN： IETDAI 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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