文献
J-GLOBAL ID:202202235074161373
整理番号:22A0099757
GeリッチGeSbTe合金の表面酸化現象と相変化メモリ応用のためのNドーピング効果【JST・京大機械翻訳】
Surface oxidation phenomena in Ge-rich GeSbTe alloys and N doping influence for Phase-Change Memory applications
著者 (9件):
Goffart Ludovic
(Univ. Grenoble Alpes, CNRS, LTM, Grenoble 38054, France)
,
Goffart Ludovic
(STMicroelectronics, 850 Rue Jean Monnet, Crolles 38920, France)
,
Goffart Ludovic
(CEA-LETI, 17 Avenue des Martyrs, Grenoble 38054, France)
,
Pelissier Bernard
(Univ. Grenoble Alpes, CNRS, LTM, Grenoble 38054, France)
,
Lefevre Gauthier
(Univ. Grenoble Alpes, CNRS, LTM, Grenoble 38054, France)
,
Le-Friec Yannick
(STMicroelectronics, 850 Rue Jean Monnet, Crolles 38920, France)
,
Vallee Christophe
(Univ. Grenoble Alpes, CNRS, LTM, Grenoble 38054, France)
,
Navarro Gabriele
(CEA-LETI, 17 Avenue des Martyrs, Grenoble 38054, France)
,
Reynard Jean-Philippe
(STMicroelectronics, 850 Rue Jean Monnet, Crolles 38920, France)
資料名:
Applied Surface Science
(Applied Surface Science)
巻:
573
ページ:
Null
発行年:
2022年
JST資料番号:
B0707B
ISSN:
0169-4332
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
オランダ (NLD)
言語:
英語 (EN)