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文献
J-GLOBAL ID：202202235228556959
整理番号：22A0324673
n型In_2O_3とフェニレンジアミンで修飾したp型グラフェン系ガスセンサに及ぼす電界効果とSchottkyヘテロ構造の影響【JST・京大機械翻訳】
Effects of Field-Effect and Schottky Heterostructure on p-Type Graphene-Based Gas Sensor Modified by n-Type In2O3 and Phenylenediamine
Choi Joung Hwan
(Department of Chemistry and Chemical Engineering, Education and Research Center for Smart Energy and Materials, Inha University, 100 Inha-ro, Michuhol-gu, Incheon 22212, South Korea)
,
Seo Jin Sung
(Department of Chemistry and Chemical Engineering, Education and Research Center for Smart Energy and Materials, Inha University, 100 Inha-ro, Michuhol-gu, Incheon 22212, South Korea)
,
Jeong Ha Eun
(Institute of Fundamental and Advanced Technology, Hyundai Motor Company, 37 Cheoldobangmulgwan-ro, Uiwang-si, Gyeonggi-do 16082, South Korea)
,
Song KyongHwa
(Institute of Fundamental and Advanced Technology, Hyundai Motor Company, 37 Cheoldobangmulgwan-ro, Uiwang-si, Gyeonggi-do 16082, South Korea)
,
Baeck Sung-Hyeon
(Department of Chemistry and Chemical Engineering, Education and Research Center for Smart Energy and Materials, Inha University, 100 Inha-ro, Michuhol-gu, Incheon 22212, South Korea)
,
Shim Sang Eun
(Department of Chemistry and Chemical Engineering, Education and Research Center for Smart Energy and Materials, Inha University, 100 Inha-ro, Michuhol-gu, Incheon 22212, South Korea)
,
Qian Yingjie
(Department of Chemistry and Chemical Engineering, Education and Research Center for Smart Energy and Materials, Inha University, 100 Inha-ro, Michuhol-gu, Incheon 22212, South Korea)
資料名：
Applied Surface Science
(Applied Surface Science)
巻： 578 ページ： Null 発行年： 2022年
JST資料番号： B0707B ISSN： 0169-4332 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： オランダ (NLD) 言語： 英語 (EN)
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