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文献
J-GLOBAL ID：202202236647865867
整理番号：22A0848380
将来の全シリコン集積マイクロ波回路における電気光学変調:光放出増加によるゲートMOSFETデバイスの導入【JST・京大機械翻訳】
Electrooptic Modulation in Future All-Silicon Integrated Microwave Circuits: An Introduction of Gated MOSFET Devices With Increased Optical Emissions
Yi Bo
(University of Electronic Science and Technology of China, Chengdu, China)
,
Li Zepeng
(University of Electronic Science and Technology of China, Chengdu, China)
,
Zhang Zhengyuan
(Sichuan Solid-State Circuit Research Institute, Chongqing, China)
,
Xu Kaikai
(University of Electronic Science and Technology of China, Chengdu, China)
,
Snyman Lukas W.
(University of South Africa, Pretoria, South Africa)
,
Swart Jacobus W.
(CCS UNICAMP, Sao Paulo, Brazil)
資料名：
IEEE Microwave Magazine
(IEEE Microwave Magazine)
巻： 23 号： 4 ページ： 45-54 発行年： 2022年
JST資料番号： W1199A ISSN： 1527-3342 CODEN： IEMMFF 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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