文献
J-GLOBAL ID:202202237261740186
整理番号:22A1059892
二層構造を有する溶液処理酸化亜鉛系薄膜トランジスタの改善された電気的性能【JST・京大機械翻訳】
Improved electrical performance of solution-processed zinc oxide-based thin-film transistors with bilayer structures
著者 (5件):
Oura Kazuyori
(Nanomaterials Microdevices Research Center, Osaka Institute of Technology, Osaka, Japan)
,
Wada Hideo
(Nanomaterials Microdevices Research Center, Osaka Institute of Technology, Osaka, Japan)
,
Koyama Masatoshi
(Nanomaterials Microdevices Research Center, Osaka Institute of Technology, Osaka, Japan)
,
Maemoto Toshihiko
(Nanomaterials Microdevices Research Center, Osaka Institute of Technology, Osaka, Japan)
,
Sasa Shigehiko
(Nanomaterials Microdevices Research Center, Osaka Institute of Technology, Osaka, Japan)
資料名:
Journal of Information Display
(Journal of Information Display)
巻:
23
号:
1
ページ:
105-113
発行年:
2022年
JST資料番号:
W5961A
ISSN:
1598-0316
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
イギリス (GBR)
言語:
英語 (EN)