前のページに戻る
この文献は全文を取り寄せることができます
JDreamⅢ複写サービスから文献全文の複写（冊子体のコピー）をお申込みできます。
ご利用には、G-Searchデータベースサービスまたは、JDreamⅢのIDが必要です。
ご利用には、G-Searchデータベースサービスまたは、JDreamⅢのIDが必要です。
既に、G-Searchデータベースサービスまたは、JDreamⅢのIDをお持ちの方
JDreamⅢ複写サービスのご利用が初めての方
取り寄せる文献のタイトルと詳細
文献
J-GLOBAL ID：202202237261740186
整理番号：22A1059892
二層構造を有する溶液処理酸化亜鉛系薄膜トランジスタの改善された電気的性能【JST・京大機械翻訳】
Improved electrical performance of solution-processed zinc oxide-based thin-film transistors with bilayer structures
Oura Kazuyori
(Nanomaterials Microdevices Research Center, Osaka Institute of Technology, Osaka, Japan)
,
Wada Hideo
(Nanomaterials Microdevices Research Center, Osaka Institute of Technology, Osaka, Japan)
,
Koyama Masatoshi
(Nanomaterials Microdevices Research Center, Osaka Institute of Technology, Osaka, Japan)
,
Maemoto Toshihiko
(Nanomaterials Microdevices Research Center, Osaka Institute of Technology, Osaka, Japan)
,
Sasa Shigehiko
(Nanomaterials Microdevices Research Center, Osaka Institute of Technology, Osaka, Japan)
資料名：
Journal of Information Display
(Journal of Information Display)
巻： 23 号： 1 ページ： 105-113 発行年： 2022年
JST資料番号： W5961A ISSN： 1598-0316 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： イギリス (GBR) 言語： 英語 (EN)
JDreamⅢ複写サービスとは
JDreamⅢ複写サービスは、学術文献の全文を複写（コピー）して取り寄せできる有料サービスです。インターネットに公開されていない文献や、図書館に収録されていない文献の全文を、オンラインで取り寄せることができます。J-GLOBALの整理番号にも対応しているので、申し込みも簡単にできます。全文の複写（コピー）は郵送またはFAXでお送りします
※ご利用には、G-Searchデータベースサービスまたは、JDreamⅢのIDが必要です
※初めてご利用される方は、JDreamⅢ複写サービスのご案内をご覧ください。
※ご利用には、G-Searchデータベースサービスまたは、JDreamⅢのIDが必要です
※初めてご利用される方は、JDreamⅢ複写サービスのご案内をご覧ください。