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文献
J-GLOBAL ID：202202237306179485
整理番号：22A0462676
二重ビームTOF-SIMSを用いた深さプロファイリング中のシリコンウエハ中の水素, 炭素, 窒素と酸素のバックグラウンド信号形成の挙動とプロセス【JST・京大機械翻訳】
Behavior and process of background signal formation of hydrogen, carbon, nitrogen, and oxygen in silicon wafers during depth profiling using dual-beam TOF-SIMS
Sameshima Junichiro
(Surface Science Laboratory, Toray Research Center, Inc., Otsu, Japan)
,
Numao Shigenori
(Surface Science Laboratory, Toray Research Center, Inc., Otsu, Japan)
資料名：
Surface and Interface Analysis
(Surface and Interface Analysis)
巻： 54 号： 2 ページ： 165-173 発行年： 2022年
JST資料番号： E0709A ISSN： 0142-2421 CODEN： SIANDQ 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： イギリス (GBR) 言語： 英語 (EN)
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