文献
J-GLOBAL ID:202202240151732371
整理番号:22A0455115
SWIRおよびMWIRレーザのための直接バンドギャップI型Ge量子ドット/GeSnSi【JST・京大機械翻訳】
Direct Bandgap Type-I Ge Quantum Dots/GeSnSi for SWIR and MWIR Lasers
著者 (5件):
Zhang Liyao
(Department of Physics, University of Shanghai for Science and Technology, Shanghai, China)
,
Yu Peng
(Department of Physics, University of Shanghai for Science and Technology, Shanghai, China)
,
Yao Shuang
(Department of Physics, University of Shanghai for Science and Technology, Shanghai, China)
,
Feng Duo
(Department of Physics, University of Shanghai for Science and Technology, Shanghai, China)
,
Dai Jinmeng
(Department of Physics, University of Shanghai for Science and Technology, Shanghai, China)
資料名:
Electronic Materials Letters
(Electronic Materials Letters)
巻:
18
号:
1
ページ:
87-93
発行年:
2022年
JST資料番号:
W4309A
ISSN:
1738-8090
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
ドイツ (DEU)
言語:
英語 (EN)