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文献
J-GLOBAL ID：202202240317436476
整理番号：22A0497549
太陽電池用ポテンシャルバッファ層としてのZnSe薄膜の種々の真空アニーリングレベルの解析【JST・京大機械翻訳】
Analysis of different vacuum annealing levels for ZnSe thin films as potential buffer layer for solar cells
Chasta Gaurav
(Department of Physics, Mohanlal Sukhadia University, Udaipur, India)
,
Himanshu
(Department of Physics, Mohanlal Sukhadia University, Udaipur, India)
,
Patel S. L.
(Department of Physics, Mohanlal Sukhadia University, Udaipur, India)
,
Chander S.
(Department of Chemical Sciences, Indian Institute of Science Education and Research Mohali, Mohali, India)
,
Chander S.
(Department of Physics, Panjab University, Chandigarh, India)
,
Kannan M. D.
(Department of Physics, PSG College of Technology, Coimbatore, India)
,
Dhaka M. S.
(Department of Physics, Mohanlal Sukhadia University, Udaipur, India)
資料名：
Journal of Materials Science. Materials in Electronics
(Journal of Materials Science. Materials in Electronics)
巻： 33 号： 1 ページ： 139-157 発行年： 2022年
JST資料番号： W0003A ISSN： 0957-4522 CODEN： JMTSAS 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： ドイツ (DEU) 言語： 英語 (EN)
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