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文献
J-GLOBAL ID：202202240660468248
整理番号：22A1100925
表面粗さ散乱への異方性バレーナノドットを用いた極薄ボディnMOSFETの最適チャネル設計【JST・京大機械翻訳】
Optimum Channel Design of Extremely-Thin-Body nMOSFETs Utilizing Anisotropic Valley-Robust to Surface Roughness Scattering
Sumita Kei
(Department of Electrical Engineering and Information Systems, The University of Tokyo, Tokyo, Japan)
,
Chen Chia-Tsong
(Department of Electrical Engineering and Information Systems, The University of Tokyo, Tokyo, Japan)
,
Toprasertpong Kasidit
(Department of Electrical Engineering and Information Systems, The University of Tokyo, Tokyo, Japan)
,
Takenaka Mitsuru
(Department of Electrical Engineering and Information Systems, The University of Tokyo, Tokyo, Japan)
,
Takagi Shinichi
(Department of Electrical Engineering and Information Systems, The University of Tokyo, Tokyo, Japan)
資料名：
IEEE Transactions on Electron Devices
(IEEE Transactions on Electron Devices)
巻： 69 号： 4 ページ： 2115-2121 発行年： 2022年
JST資料番号： C0222A ISSN： 0018-9383 CODEN： IETDAI 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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