文献
J-GLOBAL ID:202202240879087648
整理番号:22A1082405
AlN/サファイアテンプレート上に成長させたAl_0.9Ga_0.1N/GaNヘテロ構造中に形成された薄いGaNチャネルの輸送特性【JST・京大機械翻訳】
Transport properties of a thin GaN channel formed in an Al0.9Ga0.1N/GaN heterostructure grown on AlN/sapphire template
著者 (6件):
Bassaler Julien
(Univ. Grenoble Alpes, CNRS, Grenoble INP, Institut Neel, 38000 Grenoble, France)
,
Comyn Remi
(Universite Cote d’Azur, CNRS, CRHEA, rue Bernard Gregory, 06560 Valbonne, France)
,
Bougerol Catherine
(Univ. Grenoble Alpes, CNRS, Grenoble INP, Institut Neel, 38000 Grenoble, France)
,
Cordier Yvon
(Universite Cote d’Azur, CNRS, CRHEA, rue Bernard Gregory, 06560 Valbonne, France)
,
Medjdoub Farid
(CNRS-IEMN, Institute of Electronics, Microelectronics and Nanotechnology, Avenue Poincare, 59650 Villeneuve d’Ascq, France)
,
Ferrandis Philippe
(Universite de Toulon, Univ. Grenoble Alpes, CNRS, Institut Neel, 38000 Grenoble, France)
資料名:
Journal of Applied Physics
(Journal of Applied Physics)
巻:
131
号:
12
ページ:
124501-124501-8
発行年:
2022年
JST資料番号:
C0266A
ISSN:
0021-8979
CODEN:
JAPIAU
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)