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文献
J-GLOBAL ID：202202241374735928
整理番号：22A0396152
40nm,64-Kb,56.67 TOPS/W電圧検出計算-メモリ/ディジタルRRAMマクロ支援反復書込みを検証とオンライン読取-擾乱検出で支援するメモリ/ディジタルRRAMマクロ【JST・京大機械翻訳】
A 40-nm, 64-Kb, 56.67 TOPS/W Voltage-Sensing Computing-In-Memory/Digital RRAM Macro Supporting Iterative Write With Verification and Online Read-Disturb Detection
Yoon Jong-Hyeok
(School of Electrical and Computing Engineering, Georgia Institute of Technology, Atlanta, GA, USA)
,
Chang Muya
(School of Electrical and Computing Engineering, Georgia Institute of Technology, Atlanta, GA, USA)
,
Khwa Win-San
(TSMC Corporate Research, Hsinchu, Taiwan)
,
Chih Yu-Der
(TSMC Design Technology, Hsinchu, Taiwan)
,
Chang Meng-Fan
(TSMC Corporate Research, Hsinchu, Taiwan)
,
Raychowdhury Arijit
(School of Electrical and Computing Engineering, Georgia Institute of Technology, Atlanta, GA, USA)
資料名：
IEEE Journal of Solid-State Circuits
(IEEE Journal of Solid-State Circuits)
巻： 57 号： 1 ページ： 68-79 発行年： 2022年
JST資料番号： B0761A ISSN： 0018-9200 CODEN： IJSCBC 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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