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文献
J-GLOBAL ID：202202241782853091
整理番号：22A0324648
二重活性層構造を有するAl_2O_3絶縁体とInAlZnO薄膜トランジスタの性質に及ぼす原子層堆積温度の影響【JST・京大機械翻訳】
Effects of Atomic-Layer-Deposition temperature on the properties of Al2O3 insulators and InAlZnO Thin-Film-Transistors with Dual-Active-Layer structure
Xu Weidong
(School of Microelectronics, Shandong University, Jinan 250100, China)
,
Zhang Guanqun
(School of Microelectronics, Shandong University, Jinan 250100, China)
,
Feng Xianjin
(School of Microelectronics, Shandong University, Jinan 250100, China)
資料名：
Applied Surface Science
(Applied Surface Science)
巻： 578 ページ： Null 発行年： 2022年
JST資料番号： B0707B ISSN： 0169-4332 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： オランダ (NLD) 言語： 英語 (EN)
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