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J-GLOBAL ID：202202243446625506 整理番号：22A1121267

高温およびトラップはAl_0.35Ga_0.65N/GaN/Al_0.25Ga_0.75N二重ヘテロ接合の特性評価【JST・京大機械翻訳】

High temperature and trap sates characterization of Al_0.35Ga_0.65N/GaN/Al_0.25Ga_0.75N double heterojunction

著者 (9件)：

Zhao Shenglei

(Key Lab of Ministry of Education for Wide Band-Gap Semiconductor Materials and Devices, School of Microelectronics, Xidian University, Xi’an 710071, China)

Mei Bo

(China Aerospace Components Engineering Center, Beijing 100094, China)

Sun Yi

(China Aerospace Components Engineering Center, Beijing 100094, China)

Cao Shuang

(China Aerospace Components Engineering Center, Beijing 100094, China)

Zhang Yachao

(Key Lab of Ministry of Education for Wide Band-Gap Semiconductor Materials and Devices, School of Microelectronics, Xidian University, Xi’an 710071, China)

Zhang Yachao

(China Aerospace Components Engineering Center, Beijing 100094, China)

Zhu Dan

(Xi’an Institute of Space Radio Technology, Xi’an 710071, China)

Zhang Jincheng

(Key Lab of Ministry of Education for Wide Band-Gap Semiconductor Materials and Devices, School of Microelectronics, Xidian University, Xi’an 710071, China)

Hao Yue

(Key Lab of Ministry of Education for Wide Band-Gap Semiconductor Materials and Devices, School of Microelectronics, Xidian University, Xi’an 710071, China)

資料名：

Results in Physics (Results in Physics)

巻： 36 ページ： Null 発行年： 2022年
JST資料番号： W3368A ISSN： 2211-3797 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：オランダ (NLD) 言語：英語 (EN)

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