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文献
J-GLOBAL ID：202202244551203637
整理番号：22A0549857
SiN_x膜の構造化によるIII-Vフォトニック部品における歪工学【JST・京大機械翻訳】
Strain engineering in III-V photonic components through structuration of SiNx films
Ahammou Brahim
(Univ Rennes, INSA Rennes, CNRS, Institut FOTON-UMR 6082, F-35000 Rennes, France)
,
Abdelal Aysegul
(Department of Engineering Physics and Centre for Emerging Device Technologies, McMaster University, Hamilton, Ontario L8S 4L8, Canada)
,
Landesman Jean-Pierre
(Univ Rennes, INSA Rennes, CNRS, Institut FOTON-UMR 6082, F-35000 Rennes, France)
,
Levallois Christophe
(Univ Rennes, INSA Rennes, CNRS, Institut FOTON-UMR 6082, F-35000 Rennes, France)
,
Mascher Peter
(Department of Engineering Physics and Centre for Emerging Device Technologies, McMaster University, Hamilton, Ontario L8S 4L8, Canada)
資料名：
Journal of Vacuum Science & Technology. B. Nanotechnology and Microelectronics: Materials, Processing, Measurement, and Phenomena
(Journal of Vacuum Science & Technology. B. Nanotechnology and Microelectronics: Materials, Processing, Measurement, and Phenomena)
巻： 40 号： 1 ページ： 012202-012202-10 発行年： 2022年
JST資料番号： E0974A ISSN： 2166-2746 CODEN： JVTBD9 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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