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文献
J-GLOBAL ID：202202246284473627
整理番号：22A1160808
化学蒸気輸送によるSi/SiO_2基板上の(Bi_xSb_1-x)_2Te_3ナノシートの直接堆積【JST・京大機械翻訳】
Direct Deposition of (BixSb1-x)2Te3 Nanosheets on Si/SiO2 Substrates by Chemical Vapor Transport
Hansen Felix
(Leibniz Institute for Solid State and Materials Research Dresden, Germany)
,
Fucke Rico
(Leibniz Institute for Solid State and Materials Research Dresden, Germany)
,
Charvin Titouan
(Leibniz Institute for Solid State and Materials Research Dresden, Germany)
,
Froeschke Samuel
(Leibniz Institute for Solid State and Materials Research Dresden, Germany)
,
Wolf Daniel
(Leibniz Institute for Solid State and Materials Research Dresden, Germany)
,
Giraud Romain
(Leibniz Institute for Solid State and Materials Research Dresden, Germany)
,
Giraud Romain
(Universite Grenoble Alpes, CNRS, CEA, Grenoble-INP, SPINTEC, France)
,
Dufouleur Joseph
(Leibniz Institute for Solid State and Materials Research Dresden, Germany)
,
Graessler Nico
(Leibniz Institute for Solid State and Materials Research Dresden, Germany)
,
Buechner Bernd
(Leibniz Institute for Solid State and Materials Research Dresden, Germany)
,
Buechner Bernd
(Technische Universitaet Dresden, Germany)
,
Schmidt Peer
(Brandenburg University of Technology Cottbus - Senftenberg, Germany)
,
Hampel Silke
(Leibniz Institute for Solid State and Materials Research Dresden, Germany)
資料名：
Crystal Growth & Design
(Crystal Growth & Design)
巻： 22 号： 4 ページ： 2354-2363 発行年： 2022年
JST資料番号： W1323A ISSN： 1528-7483 CODEN： CGDEFU 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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