文献
J-GLOBAL ID:202202246317144786
整理番号:22A0396664
ウェアラブルおよびニューロモルフィック応用のための柔軟なTa_2O_5/WO_3ベースメモリスタシナプス【JST・京大機械翻訳】
Flexible Ta2O5/WO3-Based Memristor Synapse for Wearable and Neuromorphic Applications
著者 (6件):
Rajasekaran Sailesh
(Department of Materials Science and Engineering, National Yang Ming Chiao Tung University, Hsinchu, Taiwan)
,
Simanjuntak Firman Mangasa
(Institute of Electronics, National Yang Ming Chiao Tung University, Hsinchu, Taiwan)
,
Chandrasekaran Sridhar
(Advanced Research Institute, Dr. M. G. R. Educational and Research Institute, Chennai, India)
,
Panda Debashis
(Department of Physics, National Institute of Science and Technology, Berhampur, India)
,
Saleem Aftab
(Department of Electrical Engineering and Computer Science, National Yang Ming Chiao Tung University, Hsinchu, Taiwan)
,
Tseng Tseung-Yuen
(Institute of Electronics, National Yang Ming Chiao Tung University, Hsinchu, Taiwan)
資料名:
IEEE Electron Device Letters
(IEEE Electron Device Letters)
巻:
43
号:
1
ページ:
9-12
発行年:
2022年
JST資料番号:
B0344B
ISSN:
0741-3106
CODEN:
EDLEDZ
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)