文献
J-GLOBAL ID:202202247311039310
整理番号:22A1171584
低電圧応用のための単一ビット線構成を持つ信頼性ある温度変動耐性7T SRAMセル【JST・京大機械翻訳】
A Reliable and Temperature Variation Tolerant 7T SRAM Cell with Single Bitline Configuration for Low Voltage Application
著者 (2件):
Rawat Bhawna
(Department of Electronics and Communication Engineering, Delhi Technological University, Delhi, India)
,
Mittal Poornima
(Department of Electronics and Communication Engineering, Delhi Technological University, Delhi, India)
資料名:
Circuits, Systems, and Signal Processing
(Circuits, Systems, and Signal Processing)
巻:
41
号:
5
ページ:
2779-2801
発行年:
2022年
JST資料番号:
H0430B
ISSN:
0278-081X
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
ドイツ (DEU)
言語:
英語 (EN)