文献
J-GLOBAL ID:202202247823053022
整理番号:22A1100874
次世代デバイスDC特性のモデルパラメータ最適化と予測のための解【JST・京大機械翻訳】
Solution for Model Parameter Optimization and Prediction of Next-Generation Device DC Characteristics
著者 (3件):
Gil Gwangnae
(Magnificent Memory Laboratory (M-square Lab.) in Memory business, Samsung electronics, Hwaseong, South Korea)
,
Park Seyoung
(Magnificent Memory Laboratory (M-square Lab.) in Memory business, Samsung electronics, Hwaseong, South Korea)
,
Woo Sola
(Magnificent Memory Laboratory (M-square Lab.) in Memory business, Samsung electronics, Hwaseong, South Korea)
資料名:
IEEE Transactions on Electron Devices
(IEEE Transactions on Electron Devices)
巻:
69
号:
4
ページ:
1781-1785
発行年:
2022年
JST資料番号:
C0222A
ISSN:
0018-9383
CODEN:
IETDAI
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)