文献
J-GLOBAL ID:202202248670067691
整理番号:22A0976628
Hf_1-xZr_xO_2に基づく強誘電体トンネル接合の設計および実装における自由度のためのトップ電極工学【JST・京大機械翻訳】
Top Electrode Engineering for Freedom in Design and Implementation of Ferroelectric Tunnel Junctions Based on Hf1-xZrxO2
著者 (6件):
Athle Robin
(Electrical and Information Technology, Lund University, Sweden)
,
Athle Robin
(NanoLund: Centre for Nanoscience, Lund University, Sweden)
,
Persson Anton E.O
(Electrical and Information Technology, Lund University, Sweden)
,
Troian Andrea
(Electrical and Information Technology, Lund University, Sweden)
,
Borg Mattias
(Electrical and Information Technology, Lund University, Sweden)
,
Borg Mattias
(NanoLund: Centre for Nanoscience, Lund University, Sweden)
資料名:
ACS Applied Electronic Materials
(ACS Applied Electronic Materials)
巻:
4
号:
3
ページ:
1002-1009
発行年:
2022年
JST資料番号:
W5669A
ISSN:
2637-6113
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)