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文献
J-GLOBAL ID:202202249093636579   整理番号:22A0388716

Cドープp-GaN HEMTにおける動的R_ON過渡現象に及ぼすPoole-Frenkel効果の実験的および数値的研究【JST・京大機械翻訳】

Experimental and numerical investigation of Poole-Frenkel effect on dynamic RON transients in C-doped p-GaN HEMTs
著者 (6件):
Zagni Nicolo
(Department of Engineering ‘Enzo Ferrari’, University of Modena and Reggio Emilia, via P. Vivarelli 10, 41125 Modena, Italy)
Cioni Marcello
(Department of Engineering ‘Enzo Ferrari’, University of Modena and Reggio Emilia, via P. Vivarelli 10, 41125 Modena, Italy)
Iucolano Ferdinando
(STMicroelectronics, Strada Primosole 50, 95121 Catania, Italy)
Moschetti Maurizio
(STMicroelectronics, Strada Primosole 50, 95121 Catania, Italy)
Verzellesi Giovanni
(Department of Sciences and Methods for Engineering (DISMI) and EN&TECH Center, University of Modena and Reggio Emilia, via G. Amendola, 2, 42122 Reggio Emilia, Italy)
Chini Alessandro
(Department of Engineering ‘Enzo Ferrari’, University of Modena and Reggio Emilia, via P. Vivarelli 10, 41125 Modena, Italy)

資料名:
Semiconductor Science and Technology  (Semiconductor Science and Technology)

巻: 37  号:ページ: 025006 (5pp)  発行年: 2022年 
JST資料番号: E0503B  ISSN: 0268-1242  CODEN: SSTEET  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: イギリス (GBR)  言語: 英語 (EN)
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