文献
J-GLOBAL ID:202202249698554003
整理番号:22A1101605
ReRAMベースクロスポイントメモリアレイのためのオフセット除去検出回路によるスネーク電流補償方式【JST・京大機械翻訳】
A Sneak Current Compensation Scheme With Offset Cancellation Sensing Circuit for ReRAM-Based Cross-Point Memory Array
著者 (4件):
Kim Tae-Hyun
(School of Electrical and Electronic Engineering, Yonsei University, Seoul, South Korea)
,
Song Byungkyu
(Memory Division, Samsung Electronics, Suwon, Gyeonggi-do, South Korea)
,
Jung In-Jun
(School of Electrical and Electronic Engineering, Yonsei University, Seoul, South Korea)
,
Jung Seong-Ook
(School of Electrical and Electronic Engineering, Yonsei University, Seoul, South Korea)
資料名:
IEEE Transactions on Circuits and Systems 1: Regular Papers
(IEEE Transactions on Circuits and Systems 1: Regular Papers)
巻:
69
号:
4
ページ:
1583-1594
発行年:
2022年
JST資料番号:
C0226B
ISSN:
1549-8328
CODEN:
ITCSCH
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)