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文献
J-GLOBAL ID：202202249936246331
整理番号：22A0445048
弱極性磁気活性ドープ半導体の定常状態および過渡Raman利得係数【JST・京大機械翻訳】
Steady-state and transient Raman gain coefficients of weakly-polar magnetoactive doped semiconductors
Singh Jaivir
(Department of Physics, Baba Mastnath University, Asthal Bohar, Rohtak 124021, Haryana, India)
,
Dahiya Sunita
(Department of Physics, Baba Mastnath University, Asthal Bohar, Rohtak 124021, Haryana, India)
,
Singh Manjeet
(Department of Physics, Government College, Matanhail, Jhajjar 124106, Haryana, India)
資料名：
Materials Today: Proceedings
(Materials Today: Proceedings)
巻： 49 号： P5 ページ： 1189-1195 発行年： 2022年
JST資料番号： W3531A ISSN： 2214-7853 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： オランダ (NLD) 言語： 英語 (EN)
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