文献
J-GLOBAL ID:202202250224884862
整理番号:22A1165265
ワイドバンドギャップSnドープα-Ga_2O_3金属-半導体電界効果トランジスタに及ぼすゲート仕事関数の影響【JST・京大機械翻訳】
The Effect of Gate Work Function on Wide Band-Gap Sn-doped α-Ga2O3 Metal-Semiconductor Field-Effect Transistors
著者 (3件):
Ro Han-Sol
(Seoul National University,Semiconductor Devices and Circuits Laboratory, Advanced Institute of Convergence Technology,Suwon,Republic of Korea)
,
Kang Sung Ho
(Seoul National University,Research Center for Materials, Components & Equipment, Advanced Institute of Convergence Technology,Suwon,Republic of Korea)
,
Jung Sungyeop
(Seoul National University,Semiconductor Devices and Circuits Laboratory, Advanced Institute of Convergence Technology,Suwon,Republic of Korea)
資料名:
IEEE Conference Proceedings
(IEEE Conference Proceedings)
巻:
2022
号:
ICEIC
ページ:
1-3
発行年:
2022年
JST資料番号:
W2441A
資料種別:
会議録 (C)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)