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文献
J-GLOBAL ID：202202250448299081
整理番号：22A0734738
複合リセスゲートを持つノーマリーオフAlGaN/AlN/GaN HEMT【JST・京大機械翻訳】
Normally-off AlGaN/AlN/GaN HEMT with a composite recessed gate
Li Jialin
(Institute of Semiconductor Science and Technology, South China Normal University, Guangzhou, 510631, People’s Republic of China)
,
Yin Yian
(Institute of Semiconductor Science and Technology, South China Normal University, Guangzhou, 510631, People’s Republic of China)
,
Zeng Ni
(Institute of Semiconductor Science and Technology, South China Normal University, Guangzhou, 510631, People’s Republic of China)
,
Liao Fengbo
(Institute of Semiconductor Science and Technology, South China Normal University, Guangzhou, 510631, People’s Republic of China)
,
Lian Mengxiao
(Institute of Semiconductor Science and Technology, South China Normal University, Guangzhou, 510631, People’s Republic of China)
,
Zhang Xichen
(Institute of Semiconductor Science and Technology, South China Normal University, Guangzhou, 510631, People’s Republic of China)
,
Zhang Xichen
(SCNU Qingyuan Institute of Science and Technology Innovation Co., Ltd., Qingyuan, 511517, China)
,
Zhang Keming
(Institute of Semiconductor Science and Technology, South China Normal University, Guangzhou, 510631, People’s Republic of China)
,
Zhang Keming
(SCNU Qingyuan Institute of Science and Technology Innovation Co., Ltd., Qingyuan, 511517, China)
,
Li Jingbo
(Institute of Semiconductor Science and Technology, South China Normal University, Guangzhou, 510631, People’s Republic of China)
資料名：
Superlattices and Microstructures
(Superlattices and Microstructures)
巻： 161 ページ： Null 発行年： 2022年
JST資料番号： D0600B ISSN： 0749-6036 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： オランダ (NLD) 言語： 英語 (EN)
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