文献
J-GLOBAL ID:202202251070654900
整理番号:22A0465247
M面サファイア基板上に成長させたVO_2/TiO_2エピタキシャル二層膜の室温絶縁体-金属転移【JST・京大機械翻訳】
Room Temperature Insulator-to-Metal Transition of VO2/TiO2 Epitaxial Bilayer Films Grown on M-plane Sapphire Substrates
著者 (4件):
Chen Binjie
(Graduate School of Information Science and Technology, Hokkaido University, N14W9, Kita, Sapporo, 060-0814, Japan)
,
Kim Gowoon
(Graduate School of Information Science and Technology, Hokkaido University, N14W9, Kita, Sapporo, 060-0814, Japan)
,
Cho Hai Jun
(Research Institute for Electronic Science, Hokkaido University, N20W10, Kita, Sapporo, 001-0020, Japan)
,
Ohta Hiromichi
(Research Institute for Electronic Science, Hokkaido University, N20W10, Kita, Sapporo, 001-0020, Japan)
資料名:
Advanced Electronic Materials
(Advanced Electronic Materials)
巻:
8
号:
1
ページ:
e2100687
発行年:
2022年
JST資料番号:
W2482A
ISSN:
2199-160X
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)