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文献
J-GLOBAL ID：202202251070654900
整理番号：22A0465247
M面サファイア基板上に成長させたVO_2/TiO_2エピタキシャル二層膜の室温絶縁体-金属転移【JST・京大機械翻訳】
Room Temperature Insulator-to-Metal Transition of VO2/TiO2 Epitaxial Bilayer Films Grown on M-plane Sapphire Substrates
Chen Binjie
(Graduate School of Information Science and Technology, Hokkaido University, N14W9, Kita, Sapporo, 060-0814, Japan)
,
Kim Gowoon
(Graduate School of Information Science and Technology, Hokkaido University, N14W9, Kita, Sapporo, 060-0814, Japan)
,
Cho Hai Jun
(Research Institute for Electronic Science, Hokkaido University, N20W10, Kita, Sapporo, 001-0020, Japan)
,
Ohta Hiromichi
(Research Institute for Electronic Science, Hokkaido University, N20W10, Kita, Sapporo, 001-0020, Japan)
資料名：
Advanced Electronic Materials
(Advanced Electronic Materials)
巻： 8 号： 1 ページ： e2100687 発行年： 2022年
JST資料番号： W2482A ISSN： 2199-160X 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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