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文献
J-GLOBAL ID：202202251547068150
整理番号：22A0389011
酸素欠損層の制御によるHf_0.5Zr_0.5O_2超薄膜の高分極とウェイクアップ自由強誘電特性【JST・京大機械翻訳】
High polarization and wake-up free ferroelectric characteristics in ultrathin Hf0.5Zr0.5O2 devices by control of oxygen-deficient layer
Yadav Manoj
(Centre for Single Atom-Based Semiconductor Device and Department of Materials Science and Engineering, Pohang University of Science and Technology (POSTECH), 77 Cheongam-ro, Nam-gu, Pohang 790784, Republic of Korea)
,
Kashir Alireza
(Centre for Single Atom-Based Semiconductor Device and Department of Materials Science and Engineering, Pohang University of Science and Technology (POSTECH), 77 Cheongam-ro, Nam-gu, Pohang 790784, Republic of Korea)
,
Kashir Alireza
(Institute of Physics ASCR, Na Slovance 2, 182 21 Prague 8, Czech Republic)
,
Oh Seungyeol
(Centre for Single Atom-Based Semiconductor Device and Department of Materials Science and Engineering, Pohang University of Science and Technology (POSTECH), 77 Cheongam-ro, Nam-gu, Pohang 790784, Republic of Korea)
,
Nikam Revannath Dnyandeo
(Centre for Single Atom-Based Semiconductor Device and Department of Materials Science and Engineering, Pohang University of Science and Technology (POSTECH), 77 Cheongam-ro, Nam-gu, Pohang 790784, Republic of Korea)
,
Kim Hyungwoo
(Centre for Single Atom-Based Semiconductor Device and Department of Materials Science and Engineering, Pohang University of Science and Technology (POSTECH), 77 Cheongam-ro, Nam-gu, Pohang 790784, Republic of Korea)
,
Jang Hojung
(Centre for Single Atom-Based Semiconductor Device and Department of Materials Science and Engineering, Pohang University of Science and Technology (POSTECH), 77 Cheongam-ro, Nam-gu, Pohang 790784, Republic of Korea)
,
Hwang Hyunsang
(Centre for Single Atom-Based Semiconductor Device and Department of Materials Science and Engineering, Pohang University of Science and Technology (POSTECH), 77 Cheongam-ro, Nam-gu, Pohang 790784, Republic of Korea)
資料名：
Nanotechnology
(Nanotechnology)
巻： 33 号： 8 ページ： 085206 (10pp) 発行年： 2022年
JST資料番号： W0108A ISSN： 0957-4484 CODEN： NNOTER 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： イギリス (GBR) 言語： 英語 (EN)
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