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文献
J-GLOBAL ID：202202252443240417
整理番号：22A0478214
ホウ素ドープ{113}配向ホモエピタキシャルダイヤモンド層上の低抵抗Ohm接触【JST・京大機械翻訳】
Low-resistance ohmic contacts on boron-doped {113} oriented homoepitaxial diamond layers
Hazdra P.
(Czech Technical University in Prague, Faculty of Electrical Engineering, Technicka 1902/2, 166 27 Prague 6, Czech Republic)
,
Laposa A.
(Czech Technical University in Prague, Faculty of Electrical Engineering, Technicka 1902/2, 166 27 Prague 6, Czech Republic)
,
Soban Z.
(Institute of Physics of the Czech Academy of Sciences, Na Slovance 1999/2, 182 21 Prague 8, Czech Republic)
,
Voves J.
(Czech Technical University in Prague, Faculty of Electrical Engineering, Technicka 1902/2, 166 27 Prague 6, Czech Republic)
,
Lambert N.
(Institute of Physics of the Czech Academy of Sciences, Na Slovance 1999/2, 182 21 Prague 8, Czech Republic)
,
Davydova M.
(Institute of Physics of the Czech Academy of Sciences, Na Slovance 1999/2, 182 21 Prague 8, Czech Republic)
,
Povolny V.
(Czech Technical University in Prague, Faculty of Electrical Engineering, Technicka 1902/2, 166 27 Prague 6, Czech Republic)
,
Taylor A.
(Institute of Physics of the Czech Academy of Sciences, Na Slovance 1999/2, 182 21 Prague 8, Czech Republic)
,
Mortet V.
(Institute of Physics of the Czech Academy of Sciences, Na Slovance 1999/2, 182 21 Prague 8, Czech Republic)
,
Mortet V.
(Czech Technical University in Prague, Faculty of Biomedical Engineering, Sitna 3105, 272 01 Kladno, Czech Republic)
資料名：
Diamond and Related Materials
(Diamond and Related Materials)
巻： 121 ページ： Null 発行年： 2022年
JST資料番号： W0498A ISSN： 0925-9635 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： オランダ (NLD) 言語： 英語 (EN)
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