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文献
J-GLOBAL ID：202202252647498997
整理番号：22A0542270
ナローギャップ半導体Ta2NiS5における高圧力下ホール効果測定
Hall effect measurement of narrow gap semiconductor Ta2NiS5 under pressure
有馬寛人
(電通大)
,
片山尚幸
(名古屋大 工)
,
澤博
(名古屋大 工)
,
野原実
(広島大 大学院)
,
LU Y. F.
(東京工大)
,
北川健太郎
(東大 理)
,
高木英典
(東大 理)
,
高木英典
(マックスプランク研)
,
上床美也
(東大 物性研)
,
松林和幸
(電通大)
資料名：
日本物理学会講演概要集(CD-ROM)
(日本物理学会春季大会講演概要集(CD-ROM))
巻： 76 号： 2 ページ： ROMBUNNO.20pPSH-40 発行年： 2021年09月24日
JST資料番号： S0671C ISSN： 2189-079X 資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報 発行国： 日本 (JPN) 言語： 日本語 (JA)
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