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文献
J-GLOBAL ID：202202253179192014
整理番号：22A0958749
MOSおよび線形バイポーラ素子における界面トラップアニーリングに及ぼすBiasおよび温度の影響【JST・京大機械翻訳】
Effects of Bias and Temperature on Interface-Trap Annealing in MOS and Linear Bipolar Devices
Fleetwood Daniel M.
(Department of Electrical and Computer Engineering, Vanderbilt University, Nashville, TN, USA)
資料名：
IEEE Transactions on Nuclear Science
(IEEE Transactions on Nuclear Science)
巻： 69 号： 3 ページ： 587-608 発行年： 2022年
JST資料番号： C0235A ISSN： 0018-9499 CODEN： IETNAE 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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