文献
J-GLOBAL ID:202202254394573623
整理番号:22A0549600
n型4H-SiCへの炭素の熱注入による炭素格子間原子関連欠陥準位の形成【JST・京大機械翻訳】
Formation of carbon interstitial-related defect levels by thermal injection of carbon into n-type 4H-SiC
著者 (4件):
Karsthof Robert
(Centre for Materials Science and Nanotechnology, University of Oslo, 0316 Oslo, Norway)
,
Etzelmueller Bathen Marianne
(Centre for Materials Science and Nanotechnology, University of Oslo, 0316 Oslo, Norway)
,
Kuznetsov Andrej
(Department of Physics, University of Oslo, 0316 Oslo, Norway)
,
Vines Lasse
(Department of Physics, University of Oslo, 0316 Oslo, Norway)
資料名:
Journal of Applied Physics
(Journal of Applied Physics)
巻:
131
号:
3
ページ:
035702-035702-7
発行年:
2022年
JST資料番号:
C0266A
ISSN:
0021-8979
CODEN:
JAPIAU
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)